반도체면접
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반도체 면접 정리 #2Semi-device 2022. 8. 26. 16:01
MOSFET 반도체 기판 위에 게이트 전극, 유전체, 소스/드레인 전극으로 구성되어 있고 전계에 의해 하부의 반도체 상태를 바꾸어 동작하는 소자. Flat Band: 반도체의 에너지 밴드가 평탄한 상태. 축적: 게이트에 음전압(-)를 인가하면 산화막 -p형 반도체 계면에 정공이 모여 축적되는 상태. 공핍: 게이트에 양전압(+) 인가시 하부 p형 반도체에서 정공을 밀어내어 정공이 없어진 상태. 반전: 게이트에 양전압(+)을 더 크게 증가시키면 반도체 표면에서의 에너지 밴드가 더욱 휘어져 p형 반도체와 산화막 계면에 강하게 반전된 n형층 형성. 증가형 MOSFET의 전류-전압 특성 차단 영역(Cut-off): Vgs = Vth, ..
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반도체 면접 정리 #1Semi-device 2022. 8. 23. 23:01
반도체 에너지 밴드와 밴드 갭 원자 - 원자핵과 전자로 구성 파울리의 베타 원리에 의해 한 에너지 준위에 2개의 전자가 허용된다. 에너지 밴드: 수 많은 원자가 있을 경우 에너지 준위가 중첩이 되고, 파울리의 배타 원리에 의해 원자의 전자가 가질 수 있는 에너지 준위가 미세하게 변하게 되어 에너지 준위가 밴드 형태로 폭을 가지는 현상. 페르미 준위: 절대온도 0K에서 전자들은 가장 낮은 에너지 상태에 존재하는데, 이때 전자의 최대 에너지 값을 페르미 준위라고 한다. 가전자대: 가장 아래쪽에 최외각 전자가 채워진 밴드 전도대: 최외각 전저가 에너지를 얻어 올라올 수 있는 전자가 채워져 있지 않는 위쪽의 에너지 밴드 전도대 최소 에너지 값 - 가전자대 최대 에너지 값 = 에너지 갭 부도체: 밴드 갭이 5eV..