JHSJ_Semi JHSJ_Semi

ALD(Atomic Layer Deposition) 원자층을 번갈아가며 한층씩 증착하는 구조. 반응 기체들이 자기 제한적 반응을 진행한다. (Self-limiting reaction) = 반응물과 표면에서만 반응이 일어나고 반응물 간의 반응은 일어나지 않는다. 화학 흡착(Chemisorption), 표면 반응(Surface Reaction), 부산물 탈착(by-product Desobtion)의 반응을 기본으로 한다. ALD Process 1. Put gas A in to the chamber - Reaction - purge gas A 2. Put gas B in to the chamber - Reaction - purge gas B Each process is independent!! Purge: A..

이번에는 지난 시간에 이어 Depo 그 두번째 CVD(Chemical Vapor Deposition)을 공부 할 생각이다. CVD(Chemical Vapor Deposition) 기체 상태의 source를 공급하여, 기판 또는 표면에서의 화학반응에 의하여 박막을 형성하는 기술 열 인가 혹은 Plasma를 형성하여 높은 반응성의Radical 생성 기판에서 화학 반응을 일으켜 박막을 형성한다. CVD 반응 Mechanism ①~② : 가스의 유입 확산 Reactant Gas가 들어오고 확산을 통해서 기판 근처 까지 유입 된다. 이때 가스의 Flow는 크게 2가지인 난기류라고 불리는 Turbulance flow와 부드럽게 유입되는 laminar flow가 있고, CVD는 박막의 conformity를 위해서 G..