JHSJ_Semi JHSJ_Semi

Oxidation(산화공정) Furnace를 이용하여 Si 일부를 치환, SiO2를 성장시키는 방법. 고온(600~1200도)에서 Si를 산소(O2)/수증기(H2O)에 노출시키면 얇고 균일한 SiO2 성장가능. Si to SiO2 의 merit 1. 잘자란다 2. 잘붙어있다(Good adhesion) 3. 잘 차단한다 (외부물질) 4. 다른물질 매칭시 잘견딘다. 5. HF로 Selectivity 하게 녹일 수 있다. 6. 절연성이 좋다. 7. Interface defect low (계면에서 결합이 적다.) 8. Duration good (오래 지속) SiO2 사용하는 곳 1. Diffusion mask 2. Surface passivation (보호) 표면에는 dangling bond가 존재하는데 이를 ..

반도체 산업에 있어서 반도체 소자 분석만큼 중요한 과정중 하나인 반도체 공정에 대해 살펴보려고 한다. 반도체는 대표 8대 공정이 존재하는데 크게보면 다음과 같다. 8대 공정은 각 공정 하나하나가 매우 중요한 과정이고, 반도체 관련 기업에 취직하기 위해서는 이 공정들을 자세히 ㅅㄹ펴볼 필요가 있다. Fab 8대 공정에서는 기본적인 소재로 쓰이는 wafer을 준비한 상태로 공정에 들어가며, EDS Test, Assembly, Final test를 거친다. 이들의 최종 목표는 좋은 수율이 발생되게 하는 것이다. Fab 공정의 특징 1. 공정흐름도에 의해 진행 = Step의 수가 수백이다. 2. 8대 공정을 반복적으로 진행한다. 3. 계측과 검사를 하는 step가 존재한다. 4. 작게는 FEOL, BEOL로 크..

Thermal generation (열생성) 반도체의 가전자대에 있던 전자가 에너지를 받아 전도대로 올라가면 자유롭게 움직일 수 있는 전자와 정공 한 쌍이 만들어진다. 이때 인가된 에너지가 열에너지일 경우 이를 Thermal generation 이라고 부른다. 그리고 단위 시간당 단위체적 내에서 열생성 되는 전자-정공 쌍G를 Thermal generation rate (열생성률)이라 부른다. 이러한 열생성률은 온도에 따라서 변한다. 온도가 올라갈 경우 더 많은 전자가 가전자대에서 전도대로 이동하므로 Thermal generation rate는 증가한다. Recombination (재결합) 재결합(Recombination)은 전자와 정공이 만나서 소멸되는 과정을 뜻한다. 단위시간당 단위체적 내에서 재결합되..

유효질량 전자들이 결정체내에서 이동할 경우에는 자유공간과는 다르게 행동하는데, 이때 전자들은 외부 전계의 힘과 결정체 내에 존재하는 원자들의 주기적 전위로부터 만들어지는 전계에 의한 힘도 받는다. 내부전계효과를 포함시켰을 때의 결정체 속의 전자를 자유공간에서의 질량 m이 아닌 새로운 질량 m*을 가진 고전적 입자로 바꾼다. 이것은 외부전장의 속도(eε)에 대한 뉴턴법칙을 그대로 적용하여 외부전계와 결정체 내에 전자가 받는 힘의 관계를 나타낼 수 있다. 이때 이 질량 m* 속에 내부 전계가 들어 있으며 이 질량을 유효질량 (Effective mass)라고 부른다. 표동운동(Drift motion) 반도체에 전류를 흐르게 하는 두가지 요인이 있는데, 그중 하나인 표동(drift)에 대해 살펴보도록 하겠다. ..

반도체 포트폴리오를 준비하면서 반도체 소자에 대한 이해와 반도체 8대 공정에 대해 다룰려고 한다. 가로, 세로 혹은 높이가 각각 일정한 간격으로 규칙성 있게 반복된 구조를 격자라고 부른다. 평면부터 공간까지 n차원의 격자들중 3차원의 격자를 공간격자라 부른다. 이러한 공간격자들의 구조에는 다양한 구조가 존재한다. 1. 다이아몬드 구조 (Si, Ge, C, Sn) 여기서 3축이 직각이고 길이가 모두 같은 입방정을 다룰건데, 그중 각 면의 중심에 원자가 하나 더 존재하는 면심격자의 구조를 하고 있으며, 각 원자 위치에서 결정축에 따라 각 1/4 되는 곳에 새로운 원자가 첨가되어 있을 때의 구조를 다이아몬드 구조라 부른다. 2. Zinc-blende 구조 (GaAs, GaP) 다이아몬드형 격자의 결정을 이루는..