취준
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반도체 공정 #6 Deposition - PVDSemi-process 2022. 2. 13. 18:15
Thin Film Process (박막 공정의 정의) 박막: 보통 1μm 이하의 얇은 '막'을 의미한다. if) More than 1μm = 후막 Wafer 위에 원하는 원자/분자 단위의 물질을 입혀 원하는 전기적 특성을 지니게 하는 일련의 과정. Depo is spray paticle on wafer!! (Not part section but all surface wafer) So) Need to after Patterning process There are two depo method → 1.CVD (Chemical Vapor Deposition) / 2.PVD (Physical Vapor Deposition) Necessity to make Thin Film (박막의 필요 조건) 1. Great m..
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반도체 공정 #2 - OxidationSemi-process 2022. 1. 30. 23:26
Oxidation(산화공정) Furnace를 이용하여 Si 일부를 치환, SiO2를 성장시키는 방법. 고온(600~1200도)에서 Si를 산소(O2)/수증기(H2O)에 노출시키면 얇고 균일한 SiO2 성장가능. Si to SiO2 의 merit 1. 잘자란다 2. 잘붙어있다(Good adhesion) 3. 잘 차단한다 (외부물질) 4. 다른물질 매칭시 잘견딘다. 5. HF로 Selectivity 하게 녹일 수 있다. 6. 절연성이 좋다. 7. Interface defect low (계면에서 결합이 적다.) 8. Duration good (오래 지속) SiO2 사용하는 곳 1. Diffusion mask 2. Surface passivation (보호) 표면에는 dangling bond가 존재하는데 이를 ..