스터디
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반도체 공정 #8 Deposition - ALD (Atomic Layer Deposition)Semi-process 2022. 3. 6. 16:49
ALD(Atomic Layer Deposition) 원자층을 번갈아가며 한층씩 증착하는 구조. 반응 기체들이 자기 제한적 반응을 진행한다. (Self-limiting reaction) = 반응물과 표면에서만 반응이 일어나고 반응물 간의 반응은 일어나지 않는다. 화학 흡착(Chemisorption), 표면 반응(Surface Reaction), 부산물 탈착(by-product Desobtion)의 반응을 기본으로 한다. ALD Process 1. Put gas A in to the chamber - Reaction - purge gas A 2. Put gas B in to the chamber - Reaction - purge gas B Each process is independent!! Purge: A..
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반도체 공정 #6 Deposition - PVDSemi-process 2022. 2. 13. 18:15
Thin Film Process (박막 공정의 정의) 박막: 보통 1μm 이하의 얇은 '막'을 의미한다. if) More than 1μm = 후막 Wafer 위에 원하는 원자/분자 단위의 물질을 입혀 원하는 전기적 특성을 지니게 하는 일련의 과정. Depo is spray paticle on wafer!! (Not part section but all surface wafer) So) Need to after Patterning process There are two depo method → 1.CVD (Chemical Vapor Deposition) / 2.PVD (Physical Vapor Deposition) Necessity to make Thin Film (박막의 필요 조건) 1. Great m..
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반도체 공정 #5 EthchingSemi-process 2022. 2. 7. 00:11
Ethching 감광막 현상 공정이 끝난 후 감광막 밑에 길러진 또는 박막들을 공정 목적에 따라 부분적으로 제거하는 기술 감광제에 패턴이 형성된 후, 감강제의 패턴을 실제 박막으로 옮기는 과정이며 불필요한 부분을 제거하는 공정이다. Etching 종류 1. Wet etch 용액성 화학 약품을 이용한다(산or염기, HF dip) Wafer 전면 식각에 주로 사용한다. 생산성이 높고, 비용이 저렴하다. 가공의 정밀도가 낮다. 횡방향으로도 깎이기 때문에 Under cut 이 발생한다. 2. Drt etch 가스 선택과 조절이 쉽다. 이방성, 등방성 식각이 가능하다. 밀착성 유지가 쉽다. 식각의 종말점을 확인, 검출이 가능하다. Etching공정 중요 고려사항 1. Uniformity: 균일하게 에칭을 진행..